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氧化鋅納米纖維

更新時間:2017-09-24      點擊次數:5902
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?來源:電紡期刊

ZnO是一種重要的II-V族直接帶系寬禁帶半導體材料,且束縛激子能高達60meV,在短波長發光二極管、激光器、紫外探測器、氣敏元件、透明導電薄膜、稀磁半導體、高頻和大功率器件及其相關器件方面有著廣闊的應用前景。

納米氧化鋅是一種具有多變結構的功能材料,已合成出氧化鋅納米帶、納米線、納米籠、納米環等多種形態結構。近年來,一維

ZnO納米結構材料具有*的物理化學性能,以及廣闊的應用前景而成為研究的熱點,而ZnO納米纖維的一維連續性,使其有許多*的性質,在光催化、氣體傳感等眾多領域皆有廣闊的應用前景,被譽為是面向21世紀的新型功能材料。

 

Yang等采用靜電紡絲技術,以PVA/醋酸鋅為前驅體,先制備PVA/Zn(Ac)2復合納米纖維,再在700℃下煅燒5h,成功制備了直徑為50-100nmZnO納米纖維。Pei等采用靜電紡絲技術制備了TiO2/ZnO復合納米纖維,并測定其對NO的光催化氧化活性,即測定NO的去除率,結果表明,在650℃煅燒制得的TiO2/ZnO復合納米纖維,光催化性高。Ahmad等通過靜電紡絲技術制備ZnO納米纖維,然后修飾葡萄糖氧化酶,構建了葡萄糖的電化學分析傳感器。Wang等通過靜電紡絲法成功制備單一組分ZnO納米纖維和Ni 摻雜ZnO納米纖維,并且分別對乙炔傳感做了研究。結果發現,Ni摻雜ZnO納米纖維的Ni 可以形成纖維結構缺陷和影響ZnO帶寬,并且很大程度的提高ZnO納米纖維對乙炔傳感的敏感性,Ni 的佳摻雜濃度為5%。

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